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Avec les premières mémoires EEPROM 4 Mbit de l’industrie, STMicroelectronics permet aux appareils compacts de traiter une plus grande quantité de données utilisateur

STMicroelectronics (NYSE : STM) , un leader mondial dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, annonce le lancement d’une nouvelle génération de circuits mémoire qui, en associant une densité de stockage sans précédent à une rapidité et une fiabilité élevées, permettent aux appareils que nous utilisons quotidiennement d’être encore plus performants et ainsi améliorer nos activités tant personnelles que professionnelles.

Avec les premières mémoires EEPROM 4 Mbit de l’industrie, STMicroelectronics permet aux appareils compacts de traiter une plus grande quantité de données utilisateur
Avec une capacité de 4 Mbit, les nouvelles mémoires EEPROM de ST permettent aux appareils compacts d’enregistrer et de stocker davantage de données via le bus SPI série. Des dispositifs tels que les compteurs intelligents peuvent ainsi intensifier l’enregistrement des données (data logging) en vue de gérer les réseaux avec une plus grande efficacité et de simplifier la facturation.

Pour leur part, les appareils médicaux connectés peuvent enregistrer les données des patients de manière plus intensive en vue d’améliorer la qualité des soins dispensés, tandis que les produits grand public tels que les appareils électroniques nomades (wearables) prendront en charge davantage de fonctions utilisateur avec un niveau de précision supérieur. Dans ce type d’applications, la faible consommation d’énergie de la mémoire contribue à prolonger l’autonomie de la batterie. Une large gamme d’applications dans les domaines du contrôle industriel et des infrastructures de communications (commutateurs réseau, par exemple) peuvent également bénéficier de ces mémoires haute densité.

« ST est reconnu comme le leader mondial sur le marché des mémoires EEPROM série que l’on trouve dans un grand nombre d’applications grand public, industrielles et automobiles et nous continuons de favoriser l’innovation sur le plan technique », a déclaré Benoit Rodrigues, directeur général de la division Mémoires de STMicroelectronics. « Les premiers circuits EEPROM 4 Mbit du marché sont fabriqués avec notre propre technologie CMOS qualifiée en 110 nm la plus avancée de l’industrie pour cette catégorie de mémoire. »

Les EEPROM de la série M95M04 de ST offrent une densité de stockage de données inédite doublée d’un excellent rendement énergétique pour des applications ayant des contraintes de consommation. Ces circuits complètent le vaste portefeuille de mémoires commercialisées par ST, reconnues pour leur haut niveau de fiabilité avec une durée de vie d’un milliard de cycles de lecture/écriture sur la totalité de la mémoire. Capables d’écrire 512 octets en 5 ms, ces nouveaux circuits accélèrent le fonctionnement du système avec un faible temps de latence.

Des échantillons sont disponibles dès à présent et commercialisés à partir de 2,50 dollars (prix unitaire par 1 000 pièces).

Complément d’informations techniques
Les EEPROM M95M04 offrent une capacité de stockage non volatile haute densité pour les Firmware, les tables de calibration et les paramètres utilisateur, ainsi que l’enregistrement de données intensif.

Affichant la plus haute densité de stockage du marché en boîtiers compact SO8N et TSSOP8 à 8 broches, ces mémoires sont plus économiques que les produits concurrents tels que les mémoires d’émulation EEPROM qui combinent un microcontrôleur et une mémoire Flash, ainsi que les mémoires RAM ferroélectriques (FRAM) et magnétorésistives (MRAM) qui sont plus gourmandes en énergie et dont la gamme de tensions d’alimentation est plus étroite que celle des mémoires EEPROM CMOS.

Les mémoires EEPROM M95M04 fonctionnent dans une gamme de tensions d’alimentation étendue comprise entre 1,8 et 5,5 V, affichent une capacité de rétention des données de 40 ans, et sont disponibles en option en boîtier WLCSP à 8 bosses, en plus des boîtiers SO8N et TSSOP8.

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