Toshiba lance des MOSFET SiC 650 V de 3 e génération en boîtier TOLL compact

Toshiba Electronics Europe GmbH annonce le lancement de trois nouveaux MOSFET 650 V en carbure de silicium MOSFET (SiC), intégrant ses toutes dernières puces MOSFET SiC de 3 e génération. Les TW027U65C, TW048U65C et TW083U65C sont logés dans un boîtier TOLL (Transistor Outline, Leadless) à montage en surface et sont conçus pour réduire les pertes de commutation dans les équipements industriels. Ils conviennent à une large gamme d'applications d'alimentation exigeantes, notamment des alimentations à découpage (switched-mode power supplies, SMPS) des serveurs, des centres de données et des équipements de communication, des onduleurs (uninterruptible power supplies, UPS), des bornes de recharge pour véhicules électriques et des conditionneurs d'énergie pour onduleurs photovoltaïques (PV).

Comparés aux boîtiers à broches, tels que le TO-247 et le TO-247-4L(X), ces nouveaux composants se distinguent par un volume considérablement réduit, de plus de 80 %. Cette miniaturisation substantielle contribue directement à l'amélioration de la densité de puissance des équipements. De plus, la possibilité de montage en surface du boîtier TOLL permet l'utilisation de composants à impédance parasite plus faible, notamment des résistances et des inductances, ce qui entraîne une réduction des pertes de commutation.

Le boîtier TOLL comprend 9 broches et 4 bornes. Il est conçu pour faciliter l'utilisation d'une connexion Kelvin pour la borne source du signal de commande de grille. Cette conception avancée minimise l'effet de l'inductance du fil source à l'intérieur du boîtier, permettant ainsi d'atteindre des performances de commutation à grande vitesse. Par exemple, le TW048U65C affiche une perte notablement réduite d'environ 55 % au passage à l'état passant (Eon) et de 25 % au passage à l'état bloqué (Eoff) par rapport au produit équivalent Toshiba utilisant le boîtier TO-247 sans connexion Kelvin. Cette amélioration contribue directement à la réduction des pertes de puissance des équipements.

Les MOSFET SiC de 3 e génération de Toshiba se caractérisent par un rapport optimisé entre la résistance de dérive et la résistance de canal, ce qui permet une bonne dépendance en température de la résistance drain-source à l'état passant (RDS(on)) dans une large plage de conditions de fonctionnement. Ils présentent également une faible valeur RDS(on) x charge grille-drain (Qgd), un facteur de mérite (FOM) crucial, améliorant encore leurs performances. Tous les modèles affichent une tension drain-source maximale absolue (VDSS) de 650 V et une large plage de tension grille-source (VGSS) de -10 V à 25 V, ce qui permet la compatibilité avec divers circuits de commande de grille et simplifie la conception des circuits. La tension de seuil de grille (Vth) de ces composants est généralement comprise entre 3,0 V et 5,0 V, ce qui simplifie également la conception des circuits. De plus, le courant de drain (ID) élevé garantit un fonctionnement robuste dans des conditions exigeantes, améliorant ainsi la fiabilité du système.

Toshiba s'engage à élargir continuellement sa gamme de MOSFET afin de contribuer à l'amélioration de l'efficacité des équipements et à l'augmentation de la capacité énergétique dans divers secteurs industriels.